
SIM厚薄度限制測(cè)試卡
Limit Card磁條高低軌限制測(cè)試卡

等效式保壓盒壓力點(diǎn)檢設(shè)備

通信產(chǎn)品用測(cè)試卡

USB插頭破環(huán)性測(cè)試

等效式保壓盒壓力點(diǎn)檢設(shè)備

伺服式保壓盒壓力點(diǎn)檢設(shè)備

氣動(dòng)式保壓盒壓力點(diǎn)檢設(shè)備

精密回焊爐定位治具

精密波峰焊治具
產(chǎn)品簡(jiǎn)介 Product information
驗(yàn)證測(cè)試樣品卡的磁條信號(hào)強(qiáng)度是否符合 ISO/IEC 7811 系列標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的高 coercivity(高抗磁性,HiCo)或低 coercivity(低抗磁性,LoCo)要求。測(cè)試通過(guò)專(zhuān)業(yè)的磁條測(cè)試儀,對(duì)磁條的三個(gè)軌道(Track 1, Track 2, Track 3)的信號(hào)幅度進(jìn)行測(cè)量。
結(jié)論: 測(cè)試樣品磁條的平均信號(hào)幅度為 [XX]%,信號(hào)均勻性為 [XX]%,峰值偏移量為 [XX]%。所有測(cè)試指標(biāo)均符合 ISO/IEC 7811-2 & 5 標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于 [HiCo / LoCo] 磁條的規(guī)定,判定該批次卡片磁條質(zhì)量 合格/不合格。
高低軌限制定義:
低抗磁(LoCo): 矯頑力范圍 typically 250-650 Oe。信號(hào)幅度標(biāo)準(zhǔn)范圍通常為 Track 1: 50-120mV; Track 2/3: 70-210mV。 (注:具體范圍需參照最新ISO標(biāo)準(zhǔn)或客戶要求)
高抗磁(HiCo): 矯頑力范圍 typically 2000-4000 Oe。信號(hào)幅度標(biāo)準(zhǔn)范圍通常為 Track 1: 65-150mV; Track 2/3: 90-270mV。 (注:具體范圍需參照最新ISO標(biāo)準(zhǔn)或客戶要求)
5.3 測(cè)試流程:
設(shè)備預(yù)熱與校準(zhǔn): 開(kāi)啟測(cè)試儀,預(yù)熱15分鐘,并使用標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)卡進(jìn)行設(shè)備校準(zhǔn)。
樣品準(zhǔn)備: 清潔樣品卡磁條表面,確保無(wú)灰塵、油污。
測(cè)試執(zhí)行: 將測(cè)試卡正確插入測(cè)試儀卡槽,由設(shè)備自動(dòng)完成對(duì)三個(gè)軌道的掃描和測(cè)量。
數(shù)據(jù)記錄: 記錄每個(gè)軌道測(cè)得的以下關(guān)鍵參數(shù):
平均信號(hào)幅度(Average Signal Amplitude)
信號(hào)均勻性(Signal Uniformity) (最小值/更大值 ≥ 規(guī)定百分比,如70%)
峰值偏移(Peak Shift) (衡量編碼質(zhì)量的時(shí)基誤差)
重復(fù)測(cè)試: 對(duì)每個(gè)樣品卡重復(fù)步驟3和4。每張卡對(duì)每個(gè)軌道測(cè)試3次,取平均值。
技術(shù)參數(shù) Technical parameter
ISO/IEC 7811-2: 識(shí)別卡 - 記錄技術(shù) - 第2部分:磁條 - 低矯頑力(LoCo)
ISO/IEC 7811-5: 識(shí)別卡 - 記錄技術(shù) - 第5部分:磁條 - 高矯頑力(HiCo)
ISO/IEC 7811-6: 識(shí)別卡 - 記錄技術(shù) - 第6部分:磁條 - 高矯頑力(HiCo)
配件耗材 Accessory consumables
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應(yīng)用場(chǎng)景 Application
確認(rèn)卡片磁條的信號(hào)強(qiáng)度(幅度)在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的范圍內(nèi)。
區(qū)分磁條類(lèi)型為高抗磁(HiCo)或低抗磁(LoCo),并驗(yàn)證其是否符合設(shè)計(jì)規(guī)范。
評(píng)估磁條編碼的信號(hào)均勻性和一致性。
確保卡片磁條在全球范圍內(nèi)的終端設(shè)備上具有可靠的讀寫(xiě)兼容性。
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